オーバードライブ電圧を考慮した基準電圧発生回路の設計

カテゴリ：研究会(論文単位)

論文No：ECT25058

グループ名：【C】電子・情報・システム部門 電子回路研究会

発行日：2025/9/1

タイトル(英語)：Design of a Voltage Reference Circuit Considering Overdrive Voltage of MOSFET

著者名：伊澤 秀哉(明治大学),村田 英夢(明治大学),関根 かをり(明治大学),和田 和千(明治大学),Rivet Francois(University of Bordeaux, CNRS, Bordeaux INP, IMS, UMR 5218 ),Lapuyade Herve(University of Bordeaux, CNRS, Bordeaux INP, IMS, UMR 5218 ),Deval Yann(University of Bordeaux, CNRS, Bordeaux INP, IMS, UMR 5218 )

著者名(英語)： Shuya Isawa(Meiji University),Emu Murata(Meiji University),Kawori Sekine(Meiji University),Kazuyuki Wada(Meiji University),Francois Rivet(University of Bordeaux, CNRS, Bordeaux INP, IMS, UMR 5218 ),Herve Lapuyade(University of Bordeaux, CNRS, Bordeaux INP, IMS, UMR 5218 ),Yann Deval(University of Bordeaux, CNRS, Bordeaux INP, IMS, UMR 5218 )

キーワード：基準電圧発生回路,ＰＴＡＴ回路,レベルシフト回路,voltage reference circuit,PTAT,Level Shift

要約(日本語)：PTAT回路を応用した等価MOSFETを用いた基準電圧発生回路の設計において、以前の研究ではオーバードライブ電圧を0としていたがこれを考慮することにより、従来の比較し大きくシミュレーションと理論計算の誤差は減少し、Vref の温度係数も498ppm/℃から大幅に改善され41ppm/℃を達成した。

要約(英語)：This paper investigates a voltage reference circuit that incorporates an equivalent MOSFET, which adjusts the threshold voltage and its temperature coefficient using a Proportional To Absolute Temperature (PTAT) voltage generation circuit. In conventional designs, the overdrive voltage was assumed to be zero. However, by considering the overdrive voltage, the error between simulation and theoretical calculation was significantly reduced compared to the conventional design method, and the temperature coefficient of Vref was greatly improved from 498 ppm/K to 41 ppm/K.

本誌：2025年9月4日電子回路研究会

本誌掲載ページ：75-78p

原稿種別：英語

PDFファイルサイズ：554Kバイト