SiC-MOSFETへの入力容量可変型アクティブゲートドライバ適用の基礎検討

カテゴリ：研究会(論文単位)

論文No：SPC25160,MD25076

グループ名：【D】産業応用部門 半導体電力変換/【D】産業応用部門 モータドライブ合同研究会

発行日：2025/9/15

タイトル(英語)：Basic study on the application of variable input capacitance active gate driver to SiC-MOSFET

著者名：小林 聖矢(明治大学),前川 佐理(明治大学),谷口 峻(Astemo),Ahmed Salman(Astemo)

著者名(英語)： Seiya Kobayashi(Meiji University),Sari Maekawa(Meiji University),Shun Taniguchi(Astemo),Salman Ahmed(Astemo)

キーワード：アクティブゲートドライバ,入力容量可変,負荷特性,ＳｉＣ－ＭＯＳＦＥＴ,電磁障害,ハーフブリッジ,Active gate driver,Variable input capacitance,Load characteristics,SiC-MOSFET,Electromagnetic Interference,Half bridge

要約(日本語)：インバータの高電圧化・高周波化に伴い、EMC対策の重要性が増している。車載インバータに搭載されているEMCフィルタは体積を要するため小型化が望まれる。フィルタ小型化には、発生源でのEMI低減が必須である。筆者らは、入力容量可変型AGDを用いてEMIを低減する手法を提案している。本論文では、提案するAGDをSiC-MOSFETインバータに適用した際の負荷ごとの最適駆動条件を明らかにする。

要約(英語)：In recent years, the demand for higher-voltage and higher-frequency inverters in EV drive systems has increased. This has made EMI suppression more important. We aim to reduce EMI using our proposed variable-input-capacitance active gate driver (AGD). This paper applies the AGD to a SiC-MOSFET inverter and identifies the optimal driving conditions depending on the load.

本誌：2025年9月18日-2025年9月19日半導体電力変換/モータドライブ合同研究会-2

本誌掲載ページ：1-6p

原稿種別：日本語

PDFファイルサイズ：2,516Kバイト