SiC-MOSFETのターンオン電流波形の制御に適したゲート抵抗アレイの実験検証

カテゴリ：研究会(論文単位)

論文No：SPC25161,MD25077

グループ名：【D】産業応用部門 半導体電力変換/【D】産業応用部門 モータドライブ合同研究会

発行日：2025/9/15

タイトル(英語)：Experiments of Turn-ON Current Waveform Control of SiC-MOSFETs Utilizing Gate Resistor Array

著者名：萬年 智介(宇都宮大学)

著者名(英語)： Tomoyuki MANNEN(Utsunomiya University)

キーワード：アクティブゲート,ゲート抵抗アレイ,ＳｉＣ－ＭＯＳＦＥＴ,ターンオン波形制御,Active gate control,gate resistor array,SiC-MOSFET,turn-on transient waveform control

要約(日本語)：本論文では、SiC-MOSFETのターンオン電流波形の制御を目的として、ゲート抵抗アレイを用いたアクティブゲートドライバを開発し、500 V, 50 Aの環境で実験検証を行った。ドライバの駆動能力について、抵抗アレイの合成抵抗を均等配置した場合と合成コンダクタンスを均等配置した場合の2種類を比較した。その結果、電流波形の制御可能範囲と制御感度についての得失を明らかにしたので報告する。

要約(英語)：This paper introduces an active gate driver utilizing a gate resistor array for turn-on current waveform shaping. Experimental results of double pulse test under 500-V and 50-A clarify a capability of the two configurations of the gate resistor array.

本誌：2025年9月18日-2025年9月19日半導体電力変換/モータドライブ合同研究会-2

本誌掲載ページ：7-12p

原稿種別：日本語

PDFファイルサイズ：1,862Kバイト