SiC MOSFETの出力容量における大信号特性の測定手法に関する検討

カテゴリ：研究会(論文単位)

論文No：SPC25162,MD25078

グループ名：【D】産業応用部門 半導体電力変換/【D】産業応用部門 モータドライブ合同研究会

発行日：2025/9/15

タイトル(英語)：Investigation of Measurement Methods for Large-Signal Output Capacitance Characteristics in SiC MOSFETs

著者名：西岡 大稀(京都工芸繊維大学),高山 創(京都工芸繊維大学),古田 潤(岡山県立大学),小林 和淑(京都工芸繊維大学),新谷 道広(京都工芸繊維大学)

著者名(英語)： Taiki Nishioka(Kyoto Institute of Technology),Hajime Takayama(Kyoto Institute of Technology),Jun Furuta(Okayama Prefectural University),Kazutoshi Kobayashi(Kyoto Institute of Technology),Michihiro Shintani(Kyoto Institute of Technology)

キーワード：ＳｉＣ　ＭＯＳＦＥＴ,出力容量,ヒステリシス,大信号測定,SiC MOSFET,Output Capacitance,hysteresis,large-signal measurement

要約(日本語)：近年、SiC MOSFETの出力容量におけるヒステリシス特性が注目されており、これは小信号測定では捉えきれない非線形かつ履歴依存的な挙動を示す。本研究では、出力容量の大信号特性を明らかにするため、複数の測定回路を構築し、充電・放電時の波形差やdv/dt依存性、入力容量との相関に着目して解析を行った。その結果、回路構成による測定結果への影響や、ヒステリシス特性の評価における課題を明らかにした。

要約(英語)：The output capacitance of SiC MOSFETs exhibits distinctive behavior during switching transients, such as hysteresis, that cannot be captured by conventional small-signal measurements. This report investigates measurement techniques for large-signal characterization of the output capacitance. Several circuit configurations are evaluated and compared, highlighting the advantages and limitations of each approach.

本誌：2025年9月18日-2025年9月19日半導体電力変換/モータドライブ合同研究会-2

本誌掲載ページ：13-18p

原稿種別：日本語

PDFファイルサイズ：2,309Kバイト