2025年10月23日-2025年10月24日電子デバイス/半導体電力変換合同研究会-1

カテゴリ：研究会(冊子単位)

グループ名：【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日：2025/10/20

タイトル(英語)：23.Oct.2025-24.Oct.2025 Joint Technical Meeting on Electron Devices/Semiconductor Power Converter-1

キーワード：研究会テーマ:パワーデバイス・電力変換器とその制御

要約(日本語)：切り出し3端子モデルを用いたField Limiting Ring終端構造の動作原理検討:竹内 潔(東京大学),福井 宗利(東京大学),更屋 拓哉(東京大学),伊藤 一夫(東京大学),高倉 俊彦(東京大学),鈴木 慎一(東京大学),高瀬 博行(東京大学),平本 俊郎(東京大学) 浅い終端構造を用いた6.5kV級フルスケーリングIGBTの動作実証:更屋 拓哉(東京大学),竹内 潔(東京大学),伊藤 一夫(東京大学),高倉 俊彦(東京大学),福井 宗利(東京大学),鈴木 慎一(東京大学),高瀬 博行(東京大学),齋藤 渉(九州大学),西澤 伸一(九州大学),平本 俊郎(東京大学) 表面n+拡散層設計の最適化によるFS-IGBTの短絡耐量向上:石崎 隆太郎(富士電機),三塚 要(富士電機),内藤 達也(富士電機),小野澤 勇一(富士電機) FS-IGBT誕生25年、最初の数年は混沌的－HEVインバータ応用を含め早く実用化するも、SCSOA物理の解明と裏面プロセス確立は2010年代－:戸倉 規仁(無所属) スイッチング過渡時の端子間電圧を用いたIGBTの帰還容量電圧依存性の測定:宮井 洸輔(九州工業大学),長谷川 一徳(九州工業大学),平野 真希子(東芝),瀧本 和靖(東芝),児山 裕史(東芝) サーマルグリースのポンプアウト現象に関する研究:山下 泰申(九州工業大学),大村 一郎(九州工業大学) ゲートドライバ内蔵型GaN HEMTの過渡熱特性評価法に関する一検討:福永 崇平(大阪大学),舟木 剛(大阪大学) 金属放熱基板を用いたマルチチップパワーモジュールの熱設計手法に関する一検討 -熱干渉を考慮したチップ配置最適化-:大賀 悠功(大阪大学),福永 崇平(大阪大学),舟木 剛(大阪大学) 小面積チップの分散配置とベイズ最適化設計による樹脂絶縁型SiCパワーモジュールの熱抵抗低減:大橋 輝之(東芝),竹田 駿(東芝デバイス＆ストレージ),三宅 英太郎(東芝デバイス＆ストレージ),河野 洋志(東芝デバイス＆ストレージ),井口 知洋(東芝),小谷 和也(東芝),杜 赫(東芝),田口 安則(東芝),木村 光宏(東芝),中川 英之(東芝),飯島 良介(東芝) パワーサイクル劣化検出に向けたLHL法の過渡熱応答解析:太田 岳宏(九州大学),渡部 毅代登(九州大学),楠 茂(九州大学),中野 智(九州大学),中村 浩二(東京大学),森 時彦(東京大学),桜井 貴康(東京大学),高宮 真(東京大学),西澤 伸一(九州大学),齋藤 渉(九州大学) 機械学習によるSiCパワーモジュールのスイッチング波形を用いたパワーサイクル劣化検出:出井 和音(九州大学),Mamee Thatree(九州大学),Mueller Jonas(University of Bremen),Lutzen Hauke(University of Bremen),Kaminski Nando(University of Bremen),畑 勝裕(芝浦工業大学),高宮 真(東京大学),西澤 伸一(九州大学),齋藤 渉(九州大学) 4H-SiC基板におけるキャリア寿命とデバイス信頼性との関係:長屋 圭祐(株式会社デンソー),新井 隆太(株式会社デンソー),伊藤 孝浩(株式会社デンソー),小西 正樹(株式会社デンソー),山下 侑佑(豊田中央研究所),神谷 亮丞(名古屋工業大学),加藤 正史(名古屋工業大学) 短絡自動保護機能付きSiC MOSFETの動作実証:木本 真一(産業技術総合研究所),坂野 竜則(東芝),飯島 良介(東芝),岡本 光央(産業技術総合研究所) 微傾斜ＳｉＣ基板上におけるＧａＮ／ＳｉＣハイブリッド型分極スーパージャンクションＨＥＭＴｓ:中島 昭(産業技術総合研究所),平井 悠久(産業技術総合研究所),三浦 喜直(産業技術総合研究所),児島 一聡(産業技術総合研究所),加藤 智久(産業技術総合研究所),原田 信介(産業技術総合研究所) 単一集積化したパワーGaN HEMTの誤点弧評価:青木 悠真(岡山県立大学),小林 和淑(京都工芸繊維大学),新谷 道広(京都工芸繊維大学),高山 創(京都工芸繊維大学),鈴木 恭宜(岡山県立大学),伊藤 信之(岡山県立大学),小椋 清孝(岡山県立大学),古田 潤(岡山県立大学) 電界強度5 MV/cm、耐圧1844 Vを有するβ-Ga2O3トレンチMOSショットキーバリアダイオード:高塚 章夫(ノベルクリスタルテクノロジー),宮本 広信(ノベルクリスタルテクノロジー),前原 経利(フェニテックセミコンダクター),藤原 洋介(フェニテックセミコンダクター),佐々木 公平(ノベルクリスタルテクノロジー),倉又 朗人(ノベルクリスタルテクノロジー) ダイヤモンドパワー半導体の特性予測:上野 晋太郎(九州工業大学),蔵田 壮汰(九州工業大学),渡邉 晃彦(九州工業大学),大村 一郎(九州工業大学)

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