切り出し3端子モデルを用いたField Limiting Ring終端構造の動作原理検討

カテゴリ：研究会(論文単位)

論文No：EDD25058,SPC25190

グループ名：【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日：2025/10/20

タイトル(英語)：A Study on the Operating Principle of Field-Limiting Ring Edge Termination Using a Three-Terminal Stripe Model

著者名：竹内 潔(東京大学),福井 宗利(東京大学),更屋 拓哉(東京大学),伊藤 一夫(東京大学),高倉 俊彦(東京大学),鈴木 慎一(東京大学),高瀬 博行(東京大学),平本 俊郎(東京大学)

著者名(英語)： Kiyoshi Takeuchi(The University of Tokyo),Munetoshi Fukui(The University of Tokyo),Takuya Saraya(The University of Tokyo),Kazuo Itou(The University of Tokyo),Toshihiko Takakura(The University of Tokyo),Shinichi Suzuki(The University of Tokyo),Hiroyuki Takase(The University of Tokyo),Toshiro Hiramoto(The University of Tokyo)

キーワード：パワーデバイス,終端構造,電界制限リング,ガードリング,Power device,Edge termination,Field limiting ring,Guard ring

要約(日本語)：縦型のSiやSiCのデバイスでは終端構造として電界制限リング（Field Limiting Ring: FLR）が広く用いられている。しかしFLRの動作原理について詳述した文献は少ない。そこで我々はFLRの一部を切り出した短冊状３端子TCADモデルを用いてFLRの動作原理を詳しく検討した。

要約(英語)：The operating principle of field-limiting ring (FLR) edge termination, widely used in vertical Si and SiC power devices, is analyzed using a quasi-2D three-terminal device model. It is shown that the voltage between the rings corresponds to the punch-through voltage of a horizontal PNP structure. Design considerations based on the results, along with a comparison to measured data, are also presented.

本誌：2025年10月23日-2025年10月24日電子デバイス/半導体電力変換合同研究会-1

本誌掲載ページ：1-3p

原稿種別：日本語

PDFファイルサイズ：1,191Kバイト