FS-IGBT誕生25年、最初の数年は混沌的－HEVインバータ応用を含め早く実用化するも、SCSOA物理の解明と裏面プロセス確立は2010年代－

カテゴリ：研究会(論文単位)

論文No：EDD25061,SPC25193

グループ名：【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日：2025/10/20

タイトル(英語)：Celebrating 25 years since the birth of FS-IGBT, the first few years were chaotic like - Although it was earlier implemented to pioneering applications such as HEV inverter, elucidating SCSOA physics and refining backside process were completed in the 2010s -

著者名：戸倉 規仁(無所属)

著者名(英語)： Norihito Tokura(no affiliation)

キーワード：ＦＳ－ＩＧＢＴ,負荷短絡耐量,バッファ層,フィラメンテーション,裏面プロセス,ＴＣＡＤ,FS-IGBT,SCSOA,buffer layer,filamentation,backside process,TCAD

要約(日本語)：FS-IGBTは誕生から数年後、HEVインバータに代表される過酷なシステムにも応用が始まったが、最重要のSCSOA確保は実験的手法が先行し、その後に理論的裏付けがなされた。新規な裏面プロセス構築を含め、2010年代にPhysicsとTechnologyの基本が確立した。

要約(英語)：A few years after the birth of FS-IGBT, it began to be implemented in demanding systems such as HEV inverter, but the crucial parameters ensuring SCSOA were arranged mainly by experimental methods, followed by theoretical basis. The physics and technology fundamentals of FS-IGBT, including unique backside process, have been completed in the 2010s.

本誌：2025年10月23日-2025年10月24日電子デバイス/半導体電力変換合同研究会-1

本誌掲載ページ：17-28p

原稿種別：日本語

PDFファイルサイズ：6,605Kバイト