スイッチング過渡時の端子間電圧を用いたIGBTの帰還容量電圧依存性の測定

カテゴリ：研究会(論文単位)

論文No：EDD25062,SPC25194

グループ名：【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日：2025/10/20

タイトル(英語)：Experimental Measurement of Voltage-Dependent Reverse Transfer Capacitance of IGBT with Terminal Voltages during Switching Transient

著者名：宮井 洸輔(九州工業大学),長谷川 一徳(九州工業大学),平野 真希子(東芝),瀧本 和靖(東芝),児山 裕史(東芝)

著者名(英語)： Kosuke Miyai(Kyushu Institute of Technology),Kazunori Hasegawa(Kyushu Institute of Technology),Makiko Hirano(Toshiba Corporation),Kazuyasu Takimoto(Toshiba Corporation),Yushi Koyama(Toshiba Corporation)

キーワード：ＩＧＢＴ,帰還容量,電圧依存性,ノイズ解析,寄生インダクタンス,IGBTs,Reverse Transfer Capacitance,Voltage-Dependence,Noise Analysis,Stray Inductance

要約(日本語)：本論文ではIGBTの端子間電圧を用いたスイッチング過渡時の帰還容量の電圧依存性の測定する手法を提案する。帰還容量は印加電圧に対する電圧依存性を持つことが知られており，ゲートノイズにも密接に関わっている。ダブルパルス試験をベースとした簡易的な試験回路におけるIGBTのスイッチング過渡時の動作を理論的に解析することで帰還容量の導出法を提案し，実験にて帰還容量電圧依存性を測定可能であることを確認した。

要約(英語)：This paper proposes an experimental measurement method of voltage-dependent reverse transfer capacitance of an IGBT with terminal voltages during switching transient. The method employs a simplified circuit based on the double-pulse test. Experimental results demonstrated that voltage-dependence of reverse transfer capacitance of IGBT was measured, which agreed with a theoretical analysis.

本誌：2025年10月23日-2025年10月24日電子デバイス/半導体電力変換合同研究会-1

本誌掲載ページ：29-34p

原稿種別：日本語

PDFファイルサイズ：1,339Kバイト