ゲートドライバ内蔵型GaN HEMTの過渡熱特性評価法に関する一検討

カテゴリ：研究会(論文単位)

論文No：EDD25064,SPC25196

グループ名：【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日：2025/10/20

タイトル(英語)：A Study on Transient Thermal Characterization Method for GaN HEMT with Embedded Gate Driver

著者名：福永 崇平(大阪大学),舟木 剛(大阪大学)

著者名(英語)： Shuhei Fukunaga(The University of Osaka),Tsuyoshi Funaki(The University of Osaka)

キーワード：ＧａＮ　ＨＥＭＴ,内蔵ゲートドライバ,過渡熱抵抗,GaN HEMT,Embedded gate driver,Transient thermal resistance

要約(日本語)：データセンタ等の電源として高効率高出力密度電源回路の需要が益々増加している。GaN HEMTは2次元電子ガスを利用した高速スイッチングが可能であるため, 高周波数動作による電源回路の小型化に適している。近年, GaN HEMTのポテンシャルを活かすため, 同一パッケージ内にゲート駆動回路を内蔵した統合型GaN HEMTが市販されているが, その放熱特性評価法については報告されていない。本報告では, static法に基づくゲート駆動回路内蔵型GaN HEMTの過渡熱抵抗測定法について検討する。

要約(英語)：High-efficiency and high-power-density power conversion circuits are required to provide power for a data center. GaN HEMTs have high-speed switching capability due to two-dimensional electron gas (2DEG), resulting in the miniaturization of power conversion circuits by the high-frequency switching. Recently, GaN HEMT with an embedded gate driver is commercially available, which is suitable for maximizing its device potential. This study reports the transient thermal characterization method for GaN HEMT with an integrated gate driver based on static test method.

本誌：2025年10月23日-2025年10月24日電子デバイス/半導体電力変換合同研究会-1

本誌掲載ページ：41-46p

原稿種別：日本語

PDFファイルサイズ：1,823Kバイト