4H-SiC基板におけるキャリア寿命とデバイス信頼性との関係

カテゴリ：研究会(論文単位)

論文No：EDD25069,SPC25201

グループ名：【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日：2025/10/20

タイトル(英語)：Carrier lifetime in 4H-SiC substrates and relationship with device reliability

著者名：長屋 圭祐(株式会社デンソー),新井 隆太(株式会社デンソー),伊藤 孝浩(株式会社デンソー),小西 正樹(株式会社デンソー),山下 侑佑(豊田中央研究所),神谷 亮丞(名古屋工業大学),加藤 正史(名古屋工業大学)

著者名(英語)： Keisuke Nagaya(DENSO CORPORATION),Ryuta Arai(DENSO CORPORATION),Takahiro Ito(DENSO CORPORATION),Masaki Konishi(DENSO CORPORATION),Yusuke Yamashita(Toyota Central R&D Labs., Inc.),Ryosuke Kamiya(Nagoya Institute of Technology),Masashi Kato(Nagoya Institute of Technology)

キーワード：点欠陥,基板キャリア寿命,デバイス信頼性,通電劣化,Point defect,Substrate carrier lifetime,Device reliability,Bipolar degradation

要約(日本語)：本研究では、SiC MOSFETにおける基板依存のキャリア寿命と、それがバイポーラ劣化に与える影響を調査しました。温度依存性の解析により、D-Centerと呼ばれる点欠陥によってキャリア寿命が制限されている基板では、単一Shockley型積層欠陥の拡大が抑制されることが明らかになりました。SiCパワーデバイスの信頼性向上に向けて、基板キャリア寿命がバイポーラ劣化現象に与える影響を理解することは重要です。

要約(英語)：This study investigates substrate-dependent carrier lifetime in SiC MOSFETs and its influence on bipolar degradation. Temperature-dependent analysis reveals that substrates with carrier lifetime limited by the point defect D-Center suppress the expansion of single Shockley-type stacking faults. Understanding the impacts of substrate carrier lifetime on bipolar degradation is key to improving the reliability of SiC power devices.

本誌：2025年10月23日-2025年10月24日電子デバイス/半導体電力変換合同研究会-1

本誌掲載ページ：71-73p

原稿種別：日本語

PDFファイルサイズ：1,167Kバイト