短絡自動保護機能付きSiC MOSFETの動作実証

カテゴリ：研究会(論文単位)

論文No：EDD25070,SPC25202

グループ名：【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日：2025/10/20

タイトル(英語)：Demonstration of SiC MOSFET with Short-Circuit Auto-Protection Equipment

著者名：木本 真一(産業技術総合研究所),坂野 竜則(東芝),飯島 良介(東芝),岡本 光央(産業技術総合研究所)

著者名(英語)： Shinichi Kimoto(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology),Tatsunori Sakano(Toshiba),Ryosuke Iijima(Toshiba),Mitsuo Okamoto(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology)

キーワード：ＳｉＣ,ＭＯＳＦＥＴ,ＩＣ,モノリシック,短絡,保護,SiC,MOSFET,IC,monolithic,short-circuit,protection

要約(日本語)：外部の保護回路を必要とせず、自動的に短絡時の破壊を回避する1.2 kV級SiC MOSFETを開発した。モノリシックに集積された短絡保護機能は、センス電流に比例するセンス電圧を短絡判定情報として使用し、センス電圧が閾値電圧を超えたときに短絡電流をソフトに遮断する。提案するSiC MOSFETでは、遮断時のサージ電圧をブレークダウン電圧以下に抑制し、2.61 μsの高速な短絡自動保護を実証した。

要約(英語)：We have developed a 1.2 kV-class SiC MOSFET that automatically escapes destruction in the short-circuit event without an external protection circuit. The monolithically integrated short-circuit protection uses the sense voltage proportional to the sense current as short-circuit detection information and softly interrupts the short-circuit current when the sense voltage exceeds threshold voltage. In this proposed SiC MOSFET, a surge voltage at the time of interruption was suppressed below the breakdown voltage, and a fast automatic short-circuit protection of 2.61 μs was demonstrated.

本誌：2025年10月23日-2025年10月24日電子デバイス/半導体電力変換合同研究会-1

本誌掲載ページ：75-80p

原稿種別：日本語

PDFファイルサイズ：2,337Kバイト