微傾斜ＳｉＣ基板上におけるＧａＮ／ＳｉＣハイブリッド型分極スーパージャンクションＨＥＭＴｓ

カテゴリ：研究会(論文単位)

論文No：EDD25071,SPC25203

グループ名：【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日：2025/10/20

タイトル(英語)：GaN/SiC-based PSJ-hyHEMTs on vicinal off-angle 4H-SiC substrates

著者名：中島 昭(産業技術総合研究所),平井 悠久(産業技術総合研究所),三浦 喜直(産業技術総合研究所),児島 一聡(産業技術総合研究所),加藤 智久(産業技術総合研究所),原田 信介(産業技術総合研究所)

著者名(英語)： Akira Nakajima(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology),Hirohisa Hirai(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology),Yoshinao Miura(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology),Kazutoshi Kojima(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology),Tomohisa Kato(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology),Shinsuke Harada(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology)

キーワード：分極スーパージャンクション,ＳｉＣダイオード,ｈｙＨＥＭＴ,ＧａＮ高電子移動度トランジスタ,ＧａＮ／ＳｉＣハイブリッド,非破壊降伏,PSJ,SiC-diode,hyHEMT,GaN-HEMT,GaN/SiC hybrid,non-destructive breakdown

要約(日本語)：分極スーパージャンクションGaN-HEMTとSiC-PiNダイオードをモノリシック化したPSJ-hyHEMTsについて報告する。同デバイスは、GaNとSiCの結晶成長を両立するため、微傾斜SiC基板を用いて作製した。作製したデバイスを評価した結果、GaN-HEMTの特長である24 Ω·mmの低い特性オン抵抗、およびSiCダイオードの堅牢な非破壊降伏(1.2 kV)を両立していることを確認した。

要約(英語)：GaN/SiC-based Polarization Superjunction hybrid HEMTs (PSJ-hyHEMTs) have been demonstrated. The PSJ-hyHEMTs were fabricated on 4-inch SiC substrates with a vicinal off-angle to reconcile the crystal growth of both GaN and SiC. The fabricated GaN/SiC-based PSJ-hyHEMTs show normally-off operation with threshold voltage of 0.5 V, low-specific on-resistance of 24 Ω·mm, and non-destructive avalanche breakdown at 1.2 kV.

本誌：2025年10月23日-2025年10月24日電子デバイス/半導体電力変換合同研究会-1

本誌掲載ページ：81-85p

原稿種別：日本語

PDFファイルサイズ：1,356Kバイト