単一集積化したパワーGaN HEMTの誤点弧評価

カテゴリ：研究会(論文単位)

論文No：EDD25072,SPC25204

グループ名：【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日：2025/10/20

タイトル(英語)：Evaluation of False Turn-on in Monolithically-integrated Power GaN HEMTs

著者名：青木 悠真(岡山県立大学),小林 和淑(京都工芸繊維大学),新谷 道広(京都工芸繊維大学),高山 創(京都工芸繊維大学),鈴木 恭宜(岡山県立大学),伊藤 信之(岡山県立大学),小椋 清孝(岡山県立大学),古田 潤(岡山県立大学)

著者名(英語)： Yuma Aoki(Okayama Prefectural University),Kazutoshi Kobayashi(Kyoto Institute of Technology),Michihiro Shintani(Kyoto Institute of Technology),Hajime Takayama(Kyoto Institute of Technology),Yasunori Suzuki(Okayama Prefectural University),Nobuyuki Itoh(Okayama Prefectural University),Kiyotaka Komoku(Okayama Prefectural University),Jun Furuta(Okayama Prefectural University)

キーワード：ＧａＮ　ＨＥＭＴ,ゲートドライバ,集積化,誤点弧,GaN HEMT,Gate Driver,Integration,False Turn-on

要約(日本語)：GaN HEMTは横型デバイスであるため、複数のHEMTを集積化することができる。集積化することで寄生インダクタンスを抑制でき、ゲートドライバによるゲート電圧の制御が容易になる。それによってGaN HEMTの問題である誤点弧の耐性を高めることができる。本発表では無負荷ハーフブリッジ回路を使用し、回路全体の消費電力の増加を測定することで集積化したGaN HEMTの誤点弧耐性を評価した結果を報告する。

要約(英語)：A monolithically-integrated GaN HEMTs can reduce parasitic inductance, thereby improving the immunity to false turn-on. In this presentation, we report the results of an evaluation of the false turn-on mitigation of integrated GaN HEMTs by using a no-load half-bridge circuit and measuring the increase in power consumption of the entire circuit.

本誌：2025年10月23日-2025年10月24日電子デバイス/半導体電力変換合同研究会-1

本誌掲載ページ：87-92p

原稿種別：日本語

PDFファイルサイズ：1,393Kバイト