ダイヤモンドパワー半導体の特性予測

カテゴリ：研究会(論文単位)

論文No：EDD25074,SPC25206

グループ名：【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日：2025/10/20

タイトル(英語)：Characteristics of Diamond Power Semiconductors

著者名：上野 晋太郎(九州工業大学),蔵田 壮汰(九州工業大学),渡邉 晃彦(九州工業大学),大村 一郎(九州工業大学)

著者名(英語)： Shintaro Ueno(Kyushu Institute of Technology),Sota Kurata(Kyushu Institute of Technology),Akihiko Watanabe(Kyushu Institute of Technology),Ichiro Omura(Kyushu Institute of Technology)

キーワード：ダイヤモンド,水素終端,ホール伝導層,窒素ドーピング層,パワー半導体

要約(日本語)：ダイヤモンドは高い熱伝導性、高絶縁破壊電界、高放射線耐性を有し次世代のパワー半導体材料として注目されている。しかし、深い不純物準位のためシリコンパワー半導体などの構造は適用が困難である。そこで本研究では、水素終端による2D次元ホールガスによる表面伝導と耐圧保持構造を組み合わせたデバイス構造での特性を予測する。

要約(英語)：Diamond possesses high thermal conductivity, high breakdown electric field, and high radiation resistance, making it a promising next-generation power semiconductor material. However, its deep impurity levels make it difficult to apply structures used in silicon power semiconductors. Therefore, this study predicts the characteristics of a device structure combining surface conduction via a 2D hole gas formed by hydrogen termination with high voltage structures.

本誌：2025年10月23日-2025年10月24日電子デバイス/半導体電力変換合同研究会-1

本誌掲載ページ：99-104p

原稿種別：日本語

PDFファイルサイズ：1,192Kバイト