TCAD-Based DLTS Methods to Quantify Trap Effects on Forward Voltage and Reverse Recovery in PIN Diodes

カテゴリ：研究会(論文単位)

論文No：EDD25075,SPC25207

グループ名：【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日：2025/10/20

タイトル(英語)：TCAD-Based DLTS Methods to Quantify Trap Effects on Forward Voltage and Reverse Recovery in PIN Diodes

著者名：王 聚羲(九州工業大学),Gollapudi Srikanth(九州工業大学),大村 一郎(九州工業大学)

著者名(英語)： Jyu-Si Wang(Kyushu Institute of Technology),Srikanth Gollapudi(Kyushu Institute of Technology),Ichiro Omura(Kyushu Institute of Technology)

キーワード：TCAD,DLTS,Deep-level traps,Forward Bias,Reverse Recovery ,PIN diode

要約(日本語)：本論文は、シミュレーション時間を短縮しつつトラップパラメータ抽出の精度を向上させるために、TCADを用いて DLTS測定を再現する複数の手法を提案する。これらの結果に基づき、トラップ準位および濃度と順方向電圧降下、ならびに逆回復電流、時間との関係を示し、トラップ起因のデバイス挙動に関する一次近似的な知見を提供する。

要約(英語)：This paper presents several TCAD-based approaches for reproducing DLTS measurements to reduce simulation time while improving the accuracy of trap parameter extraction. Using these results, we provide first-order insight into trap-induced device behavior by linking trap level and concentration to forward voltage drop and to reverse recovery current and time.

本誌：2025年10月23日-2025年10月24日電子デバイス/半導体電力変換合同研究会-2

本誌掲載ページ：1-5p

原稿種別：英語

PDFファイルサイズ：1,450Kバイト