IGBT用Siウェーハの少数キャリアライフタイムおよび欠陥準位評価

カテゴリ：研究会(論文単位)

論文No：EDD25076,SPC25208

グループ名：【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日：2025/10/20

タイトル(英語)：Evaluation of Minority Carrier Lifetime and Defect Levels in Si Wafers for IGBTs

著者名：田上 慶次(九州大学),Madishetty Ritesh(九州大学),曹 瑞軒(九州大学),袁 九洋(九州大学),蔡 博舟(九州大学),宮村 佳児(九州大学),齋藤 渉(九州大学),西澤 伸一(九州大学)

著者名(英語)： Keiji Tagami(Kyushu University),Ritesh Madishetty(Kyushu University),Ruixuan Cao(Kyushu University),Jiuyang Yuan(Kyushu University),Bozhou Cai(Kyushu University),Yoshiji Miyamura(Kyushu University),Wataru Saito(Kyushu University),Shin-ichi Nishizawa(Kyushu University)

キーワード：ＩＧＢＴ,Ｓｉウェーハ,少数キャリアライフタイム,欠陥準位,ＱＳＳＰＣ法,ＤＬＴＳ法,IGBT,Si Wafer,Minority Carrier Lifetime,Defect Energy Level,QSSPC,DLTS

要約(日本語)：Si-IGBTの設計において、動作特性に影響を与える少数キャリアライフタイムと再結合中心となる欠陥準位の定量が重要である。本研究では、抵抗率の異なるMCZおよびFZ-Siウェーハを用いて、温度によるライフタイム変化と欠陥準位を調査した。その結果、温度領域に応じて再結合メカニズムが変化することが観測された。また、As-grownのFZ-Si（200 Ω·cm）で観測された比較的大きな欠陥準位のピークが、アニール処理後では検出されなかった。

要約(英語)：Quantifying minority carrier lifetime and defect levels are essential for Si-IGBT design. MCZ and FZ Si wafers of different resistivities were examined to evaluate temperature-dependent minority carrier lifetime and defect levels. As a result, it was observed that the recombination mechanism changes with temperature. Furthermore, the relatively large defect level peaks observed in 200 Ω·cm As-grown FZ-Si were not detected after annealing.

本誌：2025年10月23日-2025年10月24日電子デバイス/半導体電力変換合同研究会-2

本誌掲載ページ：7-12p

原稿種別：日本語

PDFファイルサイズ：1,500Kバイト