スイッチング波形を用いたパワーMOSFETの静的電流特性モデルパラメータ推定

カテゴリ：研究会(論文単位)

論文No：EDD25077,SPC25209

グループ名：【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日：2025/10/20

タイトル(英語)：Model parameter estimation for current characteristics of power MOSFETs using switching waveforms

著者名：蕨川 幹大(京都工芸繊維大学),西岡 大稀(京都工芸繊維大学),松本 和希(京都工芸繊維大学),高山 創(京都工芸繊維大学),新谷 道広(京都工芸繊維大学)

著者名(英語)： Mikito WARABIKAWA(Kyoto Institute of Technology ),Taiki Nishioka(Kyoto Institute of Technology ),Kazuki MATSUMOTO(Kyoto Institute of Technology ),HAjime TAKAYAMA(Kyoto Institute of Technology ),Michihiro SHINTANI(Kyoto Institute of Technology )

キーワード：パワーＭＯＳＦＥＴ,過渡解析,回路シミュレーション,スイッチング波形,デバイスモデル,Power MOSFET,Transient Analysis,Circuit simulation,Switching Waveforms,Device model

要約(日本語)：本研究は、SiCパワーMOSFETのスイッチング波形からI-Vモデル式のモデルパラメータを推定する手法を提案する。従来は静的I-V特性に基づきパラメータを抽出していたが、高電力領域では測定が困難であった。本手法は比較的容易に取得可能なスイッチング波形を利用し、効率的かつ高精度な推定を可能にする。

要約(英語)： This work proposes a method to extract model parameters of the I-V equation for SiC power MOSFETs using switching waveforms. Conventional extraction depends on static I-V measurements, which are difficult to obtain accurately in high-power regions due to self-heating. By leveraging switching waveforms that are easier to acquire, the proposed approach enables efficient and accurate parameter estimation.

本誌：2025年10月23日-2025年10月24日電子デバイス/半導体電力変換合同研究会-2

本誌掲載ページ：13-18p

原稿種別：日本語

PDFファイルサイズ：1,336Kバイト