再生可能エネルギー向け 第8世代 RFC diode

カテゴリ：研究会(論文単位)

論文No：EDD25082,SPC25214

グループ名：【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日：2025/10/20

タイトル(英語)：8th Generation RFC Diode for Renewable Energy

著者名：津々浦 雄貴(三菱電機),藤井 秀紀(三菱電機),小西 和也(三菱電機),増岡 史仁(三菱電機)

著者名(英語)： YUKI TSUTSUURA(Mitsubishi Electric Corporation),HIDENORI FUJII(Mitsubishi Electric Corporation),KAZUYA KONISHI(Mitsubishi Electric Corporation),FUMIHITO MASUOKA(Mitsubishi Electric Corporation)

キーワード：再生可能エネルギー,ＲＦＣ　Ｄｉｏｄｅ,高速スイッチング,リカバリー,ｄｖ／ｄｔ,Renewable Energy,RFC Diode,high-speed switching,recovery,dv/dt

要約(日本語)：第8世代 IGBTは、高速スイッチング動作の課題であるリカバリーdv/dtを低減するため、スプリットダミーアクティブ(SDA) CSTBTTM構造を採用しており、そのペアとなるDiodeには、高速スイッチング動作への耐量が要求される。今回、第7世代 RFC diodeの構造を基に、高速スイッチング動作に対して最適化した第8世代 RFC diodeを開発した。本報告ではその構造設計思想について述べる。

要約(英語)：The 8th generation IGBT adopts a Split Dummy Active (SDA) CSTBT™ structure to reduce the recovery dv/dt, which is a challenge in high-speed switching operations. The paired diodes require a tolerance for high-speed switching operations. In this development, we have created the 8th generation RFC diode, optimized for high-speed switching operations, based on the structure of the 7th generation RFC diode. This report discusses the design philosophy behind that structure.

本誌：2025年10月23日-2025年10月24日電子デバイス/半導体電力変換合同研究会-2

本誌掲載ページ：43-46p

原稿種別：日本語

PDFファイルサイズ：2,278Kバイト