シャローアクティブトレンチCSTBTTMを用いた6.5kV素子のスイッチング損失低減

カテゴリ：研究会(論文単位)

論文No：EDD25083,SPC25215

グループ名：【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日：2025/10/20

タイトル(英語)：Shallow Active Trench CSTBTTM with Low Switching Loss for 6.5kV Class

著者名：大塚 翔瑠(三菱電機),月東 綾則(三菱電機),増岡 史仁(三菱電機)

著者名(英語)： Kakeru Otsuka(Mitsubishi Electric Corporation),Ayanori Gatto(Mitsubishi Electric Corporation),Fumihito Masuoka(Mitsubishi Electric Corporation)

キーワード：ＩＧＢＴ,ＣＳＴＢＴ,スイッチング損失,ＲＢＳＯＡ,ＳＣＳＯＡ,帰還容量,IGBT,CSTBT,Switching Loss,RBSOA,SCSOA,Cres

要約(日本語)：IGBTでは耐圧、Vce(sat)、スイッチング損失がトレードオフの関係にある。今回、ダミートレンチの間に浅いトレンチを有する、シャローアクティブトレンチ構造を考案した。本構造では、CS層濃度を高濃度化しても高耐圧を維持することができる。また、Cresを低減できるため、同一Vce(sat)で比較するとスイッチング損失を20％以上削減することが可能である。SOAも問題が無いことを確認した。

要約(英語)：The proposed IGBT cell features a shallow active trench between deep dummy trenches, improving the trade-off between BV, VCEsat, and Cres. High Voltage IGBTs with this design show over 20% reduction in switching losses while conduction losses remain stable, with no deterioration in the safe operating area.

本誌：2025年10月23日-2025年10月24日電子デバイス/半導体電力変換合同研究会-2

本誌掲載ページ：47-51p

原稿種別：日本語

PDFファイルサイズ：1,867Kバイト