SiC-MOSFET並みの特性を実現する SuperJunction IGBTの提案

カテゴリ：研究会(論文単位)

論文No：EDD25085,SPC25217

グループ名：【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日：2025/10/20

タイトル(英語)：Extreme optimization of 1200V SuperJunction IGBT, competing with SiC MOSFET

著者名：田中 雅浩(日本シノプシス),阿部 直樹(日本シノプシス),中川 明夫(中川コンサルティング事務所)

著者名(英語)： Masahiro Tanaka(Ninon Synopsys G.K.),Naoki Abe(Nihon Synopsys G.K.),Akio Nakagawa(Nakagawa Consulting Office, LLC.)

キーワード：ＩＧＢＴ,ＳｕｐｅｒＪｕｎｃｔｉｏｎ,スイッチングロス,IGBT,SuperJunction,Switching loss

要約(日本語)：包括的なTCADシミュレーションを用いて、1200V SJ-IGBTのスイッチングオフとオンを個別に最適化した。従来予想よりも広いピラー幅と最適化されたピラードーピング濃度を採用することで、ターンオフ損失とターンオン損失を大幅に低減できることを初めて示した。最適化された幅広ピラーSJ-IGBTは、量産性を確保しつつ、SiC-MOSFETに匹敵する極めて低いスイッチング損失を示した。

要約(英語)：1200V SJ-IGBT are optimized independently for switching-off and -on, by using comprehensive TCAD simulations. We propose that the turn-off and turn-on losses can be significantly reduced by adopting wider pillar widths than previously expected, along with optimized pillar doping concentration. The optimized wider pillar SJ-IGBT exhibits extremely low switching losses that are competitive with SiC-MOSFETs and maintains good manufacturing reproducibility.

本誌：2025年10月23日-2025年10月24日電子デバイス/半導体電力変換合同研究会-2

本誌掲載ページ：59-65p

原稿種別：日本語

PDFファイルサイズ：1,569Kバイト