強誘電性の向上へ向けたHfO2系強誘電体薄膜と電極の界面設計の重要性

カテゴリ：研究会(論文単位)

論文No：EFM25007

グループ名：【C】電子・情報・システム部門 電子材料研究会

発行日：2025/11/22

タイトル(英語)：Importance of interface design between ferroelectric HfO2-based thin films and electrode for superior ferroelectricity

著者名：女屋 崇(物質・材料研究機構)

著者名(英語)： Takashi Onaya(National Institute for Materials Science)

キーワード：ＨｆＯ２系強誘電体材料,不揮発性メモリ,界面設計,原子層堆積法,信頼性,結晶相制御,ferroelectric HfO2-based material,nonvolatile memory,interface engineering,atomic layer deposition,reliability,crystal phase control

要約(日本語)：HfO2系強誘電体は既存材料では困難であった10 nm以下の極薄膜化が可能であることから、次世代不揮発性メモリへ向けた候補材料として大きな注目を集めている。本発表では、プロセス過程やデバイス動作中にHfO2系強誘電体/電極の界面で生じる反応が強誘電相の形成や信頼性に及ぼす影響について述べる。また、これら界面反応に寄与する因子を界面構造を設計することで制御し、優れた強誘電性を実現した結果を報告する。

要約(英語)：Ferroelectric HfO2-based materials are attractive for future nonvolatile memory devices due to their scalability (<10 nm). In this work, we investigated the effect of interface reaction at ferroelectric-HfO2/electrode interfaces during fabrication process and device operation on ferroelectricity. In addition, we demonstrated that superior ferroelectricity can be achieved by designing ferroelectric-HfO2/electrode interfaces.

本誌：2025年11月25日-2025年11月26日電子材料研究会

本誌掲載ページ：1-6p

原稿種別：日本語

PDFファイルサイズ：882Kバイト