Hf0.5Zr0.5O2をゲート絶縁膜に用いたグラフェンFETの作製と物性

カテゴリ：研究会(論文単位)

論文No：EFM25008

グループ名：【C】電子・情報・システム部門 電子材料研究会

発行日：2025/11/22

タイトル(英語)：Fabrication and physical properties of graphene FETs using Hf0.5Zr0.5O2 as a gate insulating film

著者名：高瀬 寛士(大阪工業大学),菊池 聖人(大阪工業大学),武本 凌河(大阪工業大学),原田 義之(大阪工業大学),藤元 章(大阪工業大学),小池 一歩(大阪工業大学),廣芝 伸哉(大阪工業大学)

著者名(英語)： Hiroshi Takase(Osaka Institute of Technology),Masato Kikuchi(Osaka Institute of Technology),Ryoga Takemoto(Osaka Institute of Technology),Yoshiyuki Harada(Osaka Institute of Technology),Akira Fujimoto(Osaka Institute of Technology),Kazuto Koike(Osaka Institute of Technology),Nobuya Hiroshiba(Osaka Institute of Technology)

キーワード：グラフェン,ＦＥＴ,強誘電,Graphene,FET,Ferroelectoric

要約(日本語)：高移動度グラフェンのゲートスタック技術として、強誘電体Hf₀.₅Zr₀.₅O₂(HZO)に着目し、SiO₂と比較した。両基板上に高品質なグラフェンFETを作製・評価した結果、HZO上でのみ電荷中性点が負側へ大きくシフトした。これはHZOの強誘電分極により、グラフェンが実効的にn型ドープされたことを示唆するものである。

要約(英語)：We investigated ferroelectric Hf₀.₅Zr₀.₅O₂ (HZO) as a gate dielectric for graphene FETs, in comparison to SiO₂. Graphene FETs on HZO uniquely exhibited a significant negative Dirac point shift, attributed to effective n-type doping from the HZO’s spontaneous ferroelectric polarization. This demonstrates a non-volatile carrier control method.

本誌：2025年11月25日-2025年11月26日電子材料研究会

本誌掲載ページ：7-9p

原稿種別：日本語

PDFファイルサイズ：790Kバイト