直方晶MgGeO3の配向膜成長と光学バンドギャップ評価

カテゴリ：研究会(論文単位)

論文No：EFM25010

グループ名：【C】電子・情報・システム部門 電子材料研究会

発行日：2025/11/22

タイトル(英語)：Oriented growth of orthorhombic MgGeO3 thin films and optical bandgap measurements

著者名：古川 加惟(立教大学),田邉 一郎(立教大学),藤原 宏平(立教大学)

著者名(英語)： Kai Furukawa(RIKKYO UNIVERSITY),Ichiro Tanabe(RIKKYO UNIVERSITY),Kohei Fujiwara(RIKKYO UNIVERSITY)

キーワード：スパッタリング,薄膜,ワイドギャップ酸化物,光学バンドギャップ,Sputtering,Thin film,Wide-bandgap oxides,Optical bandgap

要約(日本語)：三元系ABO3は機能性酸化物の典型的構造の一つである。BサイトにGeを含む系では、大き　なバンドギャップと高移動度による透明半導体・導電体特性や結晶構造に起因する素子機能の発現が期待される。本研究では、スパッタリング法によりMgGeO3の薄膜成長に取り組んだ。再成長と高温アニールにより直方晶MgGeO3の配向膜を作製することに成功し、ワイドギャップ酸化物であることを明らかにした。

要約(英語)：ABO3 oxides are a typical structure shared by various functional oxides. Systems containing Ge at the B site are expected to exhibit semiconducting/conducting properties due to the combination of wide bandgap and high mobility, as well as device functionalities arising from their crystal structures. In this study, we attempted to grow MgGeO3 thin films by sputtering. By re-growth and high-temperature annealing, we achieved the oriented growth of orthorhombic MgGeO3 thin films and revealed their wide bandgap characteristics via optical measurements.

本誌：2025年11月25日-2025年11月26日電子材料研究会

本誌掲載ページ：17-19p

原稿種別：日本語

PDFファイルサイズ：820Kバイト