極薄初期層の挿入によるカゴメ格子合金CoSn薄膜の高品質化

カテゴリ：研究会(論文単位)

論文No：EFM25011

グループ名：【C】電子・情報・システム部門 電子材料研究会

発行日：2025/11/22

タイトル(英語)：Improving the crystallinity of kagome-lattice alloy CoSn thin films via insertion of an ultrathin seed layer

著者名：井川 僚哉(立教大学),藤原 宏平(立教大学)

著者名(英語)： Tomoya Ikawa(Rikkyo University),Kohei Fujiwara(Rikkyo University)

キーワード：薄膜,カゴメ格子合金,スパッタリング成長,電気伝導特性,thin films,kagome-lattice alloys,sputtering growth,electrical transport properties

要約(日本語)：半導体集積回路の超微細化に伴い、ナノスケールにおけるCu配線の抵抗率増大の問題が顕在化しつつある。近年、代替材料の候補としてカゴメ格子合金CoSnが注目を集めている。本研究では、CoSn薄膜の物性評価と機能材料化に向けてスパッタリング法による薄膜成長に取り組み、0.4〜2.0 nm（単位格子2〜5層相当）厚みのCo極薄初期層を挿入することでCoSn薄膜の結晶性が大幅に改善されることを明らかにした。

要約(英語)：With the downscaling of semiconductor integrated circuits, the increase in the resistivity of Cu-based interconnects has become serious. Recently, the kagome-lattice alloy CoSn has attracted attention as a promising candidate material for next-generation interconnects. We demonstrate that inserting a Co seed layer as thin as 0.4–2.0 nm, corresponding to 2–5 unit cells, significantly improves the crystallinity of sputtered CoSn thin films.

本誌：2025年11月25日-2025年11月26日電子材料研究会

本誌掲載ページ：21-22p

原稿種別：日本語

PDFファイルサイズ：715Kバイト