二次元半導体におけるドーピングの基礎的理解と技術展開

カテゴリ：研究会(論文単位)

論文No：EFM25013

グループ名：【C】電子・情報・システム部門 電子材料研究会

発行日：2025/11/22

タイトル(英語)：Fundamental Understanding and Technological Development of Doping in Two-Dimensional Semiconductors

著者名：金橋 魁利(東京大学),西村 知紀(東京大学),長汐 晃輔(東京大学)

著者名(英語)： Kaito Kanahashi(The University of Tokyo),Tomonori Nishimura(The University of Tokyo),Kosuke Nagashio(The University of Tokyo)

キーワード：二次元半導体,遷移金属ダイカルコゲナイド,元素置換ドーピング,トランジスタ

要約(日本語)：次世代半導体として期待される遷移金属ダイカルコゲナイドに対する元素置換ドーピングについて，理論・実験の両側面から基礎的な理解を試みる．さらに，応用に向けて必要な技術展開についても議論する．

要約(英語)：This study aims to achieve a fundamental understanding of substitutional doping in transition metal dichalcogenides, which are promising next-generation semiconductors, from both theoretical and experimental perspectives. Furthermore, we discuss the technological developments required to realize their practical applications in future electronic devices.

本誌：2025年11月25日-2025年11月26日電子材料研究会

本誌掲載ページ：25-26p

原稿種別：日本語

PDFファイルサイズ：991Kバイト