TaS2上にオゾン酸化形成したTaOx膜をゲート誘電体とするMoS2 FETにおける低電圧動作

カテゴリ：研究会(論文単位)

論文No：EFM25014

グループ名：【C】電子・情報・システム部門 電子材料研究会

発行日：2025/11/22

タイトル(英語)：Low-voltage operations of MoS2 FETs with TaOx gate dielectrics formed by ozone oxidation on TaS2

著者名：佐橋 悠太朗(関西大学),稲田 貢(関西大学),上野 啓司(埼玉大学),山本 真人(関西大学)

著者名(英語)： Yutaro Sahashi(Kansai University),Mitsuru Inada(Kansai Univeristy),Keiji Ueno(Saitama University),Mahito Yamamoto(Kansai University)

キーワード：二次元半導体,酸化タンタル,ｈｉｇｈ－ｋ誘電体,二硫化モリブデン,2D semiconductor,TaOx,high-k dielectric,MoS2

要約(日本語)：MoS2に代表される二次元半導体は、高い電界制御性を有することから次世代のFET材料として期待されている。本研究では、層状金属のTaS2をオゾン酸化することで表面にhigh-k酸化膜であるTaOxを形成し、TaS2をゲート、TaOxをゲート誘電体とするMoS2 FETを作製した。その結果、ゲート電圧1 V以下の低電圧で5桁以上のオン・オフ動作を実現した。本研究は、低電圧駆動二次元半導体FETの新しいゲート誘電膜形成プロセスを提案するものである。

要約(英語)：2D semiconductors such as MoS2, are anticipated as next generation FET materials due to their high electric field control. In this study, we formed a high-k dielectric, TaOx, on the surface of layered metal TaS2 by ozone oxidation. We fabricated a MoS2FET using TaS2 and TaOx as the gate and gate dielectric. As a result, a high on/off ratio of ~105 is realized at a gate voltage of < 1 V. This study suggests a new gate dielectric film formation process for 2D semiconductor FETs operating at low voltages.

本誌：2025年11月25日-2025年11月26日電子材料研究会

本誌掲載ページ：27-29p

原稿種別：日本語

PDFファイルサイズ：2,425Kバイト