液相プロセスによって形成したhigh-k TaOx薄膜の特性評価と二次元半導体ゲート絶縁膜応用

カテゴリ：研究会(論文単位)

論文No：EFM25015

グループ名：【C】電子・情報・システム部門 電子材料研究会

発行日：2025/11/22

タイトル(英語)：Characterization of high-k TaOx thin films formed by the solution process and the applications for gate insulators

著者名：能見 彩音(関西大学),稲田 貢(関西大学),上野 啓司(埼玉大学),山本 真人(関西大学)

著者名(英語)： Ayane Nomi(Kansai university),Mitsuru Inada(Kansai university),Keiji Ueno(Saitama University),Mahito Yamamoto(Kansai university)

キーワード：二次元半導体,電界効果トランジスタ,ｈｉｇｈ－ｋ絶縁膜,2D semiconductor,FET,high-k dielectric

要約(日本語)：二次元半導体のトランジスタ実用化に向けては、high-k絶縁膜の形成プロセスの開拓が必要不可欠である。本研究では、低温かつ大面積プロセスである液相プロセスを用いることで、high-k酸化膜であるTaOx薄膜の形成を試みた。そして、実際に液相プロセスTaOxをゲート絶縁膜とする二次元半導体FETを作製し、低電圧動作を実現した。

要約(英語)：For practical applications of 2D semiconductor transistors, explore of a process to form high-k dielectric thin film is necessary. In this work, we aimed to form high-k TaOx by a solution process, which is a low-temperature and large-scale process, and fabricated 2D semiconductor FETs by using the solution-processed TaOx.

本誌：2025年11月25日-2025年11月26日電子材料研究会

本誌掲載ページ：31-34p

原稿種別：日本語

PDFファイルサイズ：930Kバイト