局所オゾン酸化による黒リン面内ホモ接合の形成

カテゴリ：研究会(論文単位)

論文No：EFM25016

グループ名：【C】電子・情報・システム部門 電子材料研究会

発行日：2025/11/22

タイトル(英語)：Formation of an in-plane homojunction in black phosphorus by localized ozone oxidation.

著者名：長田 庄平(関西大学),稲田 貢(関西大学),佐藤 伸吾(関西大学),山本 真人(関西大学)

著者名(英語)： Shohei Nagata(Kansai University),Mitsuru Inada(Kansai University),Shingo Sato(Kansai University),Mahito Yamamoto(Kansai University)

キーワード：黒リン,エッチング,電界効果トランジスタ,二次元半導体,二次元物質,ホモ接合,Black Phosphorus,etching,FET,two dimensional semiconductor,homojunction

要約(日本語)：黒リンは室温で高い移動度を示し、層数によってバンドギャップが変化することからFETへの応用が注目されている。また、黒リンは高い酸化反応性を有することが知られている。本研究ではこの反応性を活かし、黒リンを局所的にオゾン処理しエッチングすることによって面内でバンドギャップの大きさの異なる黒リンホモ接合の形成を試みた。

要約(英語)：Black phosphorus exhibits a high carrier mobility at room temperature and a layer-dependent bandgap, making it attractive for applications in FETs. In this work, by the local ozone oxidation process, we fabricated homojunctions based on black phosphorous with different bandgaps.

本誌：2025年11月25日-2025年11月26日電子材料研究会

本誌掲載ページ：35-38p

原稿種別：日本語

PDFファイルサイズ：688Kバイト