ｐ型透明半導体の可能性を持つ硫酸スズ薄膜の伝導機構調査

カテゴリ：研究会(論文単位)

論文No：EFM25017

グループ名：【C】電子・情報・システム部門 電子材料研究会

発行日：2025/11/22

タイトル(英語)：Investigation of the Conduction Mechanism in Tin Sulfate Thin Films

著者名：守屋 賢人(工学院大学),永縄 創吉(工学院大学),工藤 幸寛(工学院大学),高橋 泰樹(工学院大学),山口 智広(工学院大学),相川 慎也(工学院大学)

著者名(英語)： Kento Moriya(Kogakuin University),Sokichi Naganawa(Kogakuin University),Yukihiro Kudoh(Kogakuin University),Taiju Takahashi(Kogakuin University),Tomohiro Yamaguchi(Kogakuin University),Shinya Aikawa(Kogakuin University)

キーワード：硫酸スズ,プロトン伝導,Tin Sulfate,proton conductivity

要約(日本語)：我々はバンドギャップ3.9 eV，ホール有効質量0.88 の理論物性値を示すp型透明半導体材料として期待されるSnSO4薄膜を作製し評価した．ｐ型伝導は確認されていないが，電流が流れていることは確認された．潮解性の特徴を持つことからプロトン伝導を疑い，加湿・真空雰囲気でIV測定を実施した．結果から加湿して電流が増加し，真空中で大幅に電流が減少した．よってホール伝導ではなく，プロトン伝導である可能性が強く示唆された．

要約(英語)：A SnSO₄ thin film, expected to be a p-type semiconductor, exhibited conductivity but not p-type behavior. Suspecting proton conduction due to its deliquescent nature, we measured its I-V characteristics in humidity and vacuum. The current increased with humidity, strongly suggesting proton not hole conductivity.

本誌：2025年11月25日-2025年11月26日電子材料研究会

本誌掲載ページ：39-42p

原稿種別：日本語

PDFファイルサイズ：706Kバイト