ホスホニウム系イオン液体を導入した有機トランジスタにおけるドレイン電流の抑制効果

カテゴリ：研究会(論文単位)

論文No：EFM25023

グループ名：【C】電子・情報・システム部門 電子材料研究会

発行日：2025/11/22

タイトル(英語)：Suppression of Drain Current in Organic Transistors Incorporating Phosphonium-Based Ionic Liquids

著者名：吉田 湧(奈良工業高等専門学校),三崎 雅裕(奈良工業高等専門学校),山田 裕久(奈良工業高等専門学校),綱島 克彦(和歌山工業高等専門学校)

著者名(英語)： Yu Yoshida(National Institute of Technology (KOSEN), Nara College),Masahiro Misaki(National Institute of Technology (KOSEN), Nara College),Hirohisa Yamada(National Institute of Technology (KOSEN), Nara College),Katsuhiko Tsunashima ((National Institute of Technology (KOSEN), Wakayama College)

キーワード：有機電界効果型トランジスタ,有機トランジスタ,イオン液体,Ｃ８－ＢＴＢＴ,Ｐ４４４１２－ＴＦＳＡ,Ｐ６６６１４－ＴＦＳＡ,Organic Field Effect Transistors,Organic Transistors,Ionic liquid,C8-BTBT,P44412-TFSA,P66614-TFSA

要約(日本語)：本研究では、ホスホニウム系イオン液体を添加した有機トランジスタにおける電気特性の挙動について報告する。一般的なイオン液体を添加していない素子と出力特性を比較した結果、イオン液体の導入によってドレイン電流が顕著に減少し、更にゲート電圧の増加に伴ってわずかに減少する傾向がみられた。このような挙動は、イオン液体を有機半導体層に導入した場合と同様に、ゲート絶縁膜層に導入した場合にも確認された。

要約(英語)：This study reports on the electrical behavior of organic transistors with phosphonium-based ionic liquids. An organic transistor with a bottom-gate, top-contact configuration was fabricated using a spin-coated film of C8BTBT blended with a phosphonium ionic liquid as the semiconductor layer. Compared to devices without ionic liquid addition, drain current decreases significantly and slightly further with increasing gate voltage. Similar effects are observed when the liquid is introduced into either the semiconductor or the dielectric layer.

本誌：2025年11月25日-2025年11月26日電子材料研究会

本誌掲載ページ：67-69p

原稿種別：日本語

PDFファイルサイズ：574Kバイト