SiC-MOSFETを用いた低電圧DC遮断プロセスにおけるP/Nジャンクション部での発生熱およ び温度上昇に関する考察－限流抵抗値1～600 Ω－

カテゴリ：研究会(論文単位)

論文No：EPP25121,SP25038,HV25119

グループ名：【A】基礎・材料・共通部門 放電・プラズマ・パルスパワー/【B】電力・エネルギー部門 開閉保護/【B】電力・エネルギー部門 高電圧合同研究会

発行日：2025/11/30

タイトル(英語)：A study on heat generation and temperature rise at P/N junction of SiC-MOSFET in low voltage DC interrupting process -Limiting resistance 1-600 ohms-

著者名：酒井 燦(名古屋大学),横水 康伸(名古屋大学),兒玉 直人(名古屋大学),岩田 幹正(名古屋大学),中村 綾花(名古屋大学),浦井 一(東洋大学)

著者名(英語)： Akira Sakai(Nagoya University),Yasunobu Yokomizu(Nagoya- University),Naoto Kodama(Nagoya University),Mikimasa Iwata(Nagoya University),Ayaka Nakamura(Nagoya University),Hajime Urai(Toyo University)

キーワード：低電圧直流,ＳｉＣ－ＭＯＳＦＥＴ,直流限流,電流遮断,Low voltage direct current,SiC-MOSFET,DC limitation,Current interruption

要約(日本語)：筆者らは，SiC系MOSFET半導体を用いた低電圧DC遮断方法として，電気抵抗による限流機能を具備したモデル遮断器の構成および仕様を検討してきた。本報告では，モデル遮断器の限流抵抗値を1～600 Ωに設定し，電源電圧400 V下での電流遮断とその過程における半導体端子間電圧の推移を述べるとともに，P/N接合部における発生熱および温度上昇プロセスを論述している。

要約(英語)：As a low-voltage DC circuit breaker using SiC-MOSFETs, we have considered a method of current limiting by electrical resistance. This paper reports the result for interruption of direct current imposed on experiments on actual circuit breaker. Moreover, we evaluated heat generation and temperature rise at the P/N junction.

本誌：2025年12月3日-2025年12月4日放電・プラズマ・パルスパワー/開閉保護/高電圧合同研究会-2

本誌掲載ページ：25-30p

原稿種別：日本語

PDFファイルサイズ：1,375Kバイト