広帯域CMOSノイズキャンセルLNAの帯域幅拡張の手法に関する研究 抵抗帰還型CMOSノイズキャンセルLNAの帯域幅拡大手法の一検討

カテゴリ：研究会(論文単位)

論文No：ECT25089

グループ名：【C】電子・情報・システム部門 電子回路研究会

発行日：2025/12/2

タイトル(英語)：広帯域CMOSノイズキャンセルLNAの帯域幅拡張の手法に関する研究 抵抗帰還型CMOSノイズキャンセルLNAの帯域幅拡大手法の一検討

著者名：貝瀬 駿介(東京理科大学),兵庫 明(東京理科大学),宮内 亮一(東京理科大学)

著者名(英語)： Shunsuke Kaise(Tokyo University of Science),Akira Hyogo(Tokyo University of Science),Ryoichi Miyauchi(Tokyo University of Science)

キーワード：低雑音増幅器,LNA

要約(日本語)：抵抗帰還型CMOSノイズキャンセルLNAには入力容量Cinの影響が高周波帯域で顕著になり、帯域幅が制限されるという問題がある。Cinは入力段のCMOSのCgsと、ノイズキャンセル段の補助経路の入力のNMOSのCgsの和である。 そこで、入力段のRfをRfにインダクタLfを直列に挿入したZfに変更し、Cinの影響を打ち消すことで帯域幅を拡張する手法を提案した。

要約(英語)：The bandwidth of resistive feedback noise-canceling CMOS LNAs is limited by high-frequency effects of input capacitance Cin. This work proposes adding a series inductor Lf to the feedback resistor Rf, creating Zf, to counteract Cin and extend the operational bandwidth.

本誌：2025年12月5日電子回路研究会

本誌掲載ページ：69-72p

原稿種別：日本語

PDFファイルサイズ：1,027Kバイト