電圧上昇率がSiO2膜/Si基板の絶縁破壊特性に及ぼす影響

カテゴリ：研究会(論文単位)

論文No：DEI25109

グループ名：【A】基礎・材料・共通部門 誘電・絶縁材料研究会

発行日：2025/12/10

タイトル(英語)：Breakdown Characteristics of SiO2 Film / Si Substrate Influenced by Raising Rate of Applied Voltage

著者名：木村 剛留(豊橋技術科学大学),村上 義信(豊橋技術科学大学),佐藤 孝政(豊橋技術科学大学)

著者名(英語)： Takeru Kimura(Toyohashi University of Technology),Yoshinobu Murakami(Toyohashi University of Technology),Sato Takamasa(Toyohashi University of Technology)

キーワード：酸化ケイ素,ケイ素,ＳｉＯ２／Ｓｉ複合層,電圧上昇率,絶縁破壊,マクスウエル応力,Silicon Oxide,Slicon,SiO2/Si multi-layer,Voltage Rising Rate,Breakdown,Maxwell Stress

要約(日本語)：電圧上昇率がSiO2/Si基板複合層の絶縁破壊特性に及ぼす影響を調査した。印加電圧の立ち上がり時間がus領域においては絶縁破壊電圧が2つの領域に分かれた。電圧印加時のマクスウェル応力が絶縁破壊電圧に影響を及ぼしていると考えられた。

要約(英語)：The effect of voltage rising rate on the breakdown characteristics of SiO2 film / Si substrate multi-layers was investigated. At the microsecond level of the rise time of the applied voltage, the breakdown voltage exhibited two distinct regions. It was considered that the Maxwell stress by voltage application influenced the breakdown voltage.

本誌：2025年12月13日誘電・絶縁材料研究会

本誌掲載ページ：21-25p

原稿種別：日本語

PDFファイルサイズ：1,107Kバイト