ディフューザ導入紫外Nd:YAGレーザによるSi太陽電池の融解閾値

カテゴリ：研究会(論文単位)

論文No：LAV25010

グループ名：【A】基礎・材料・共通部門 光応用・視覚研究会

発行日：2025/12/16

タイトル(英語)：Melting threshold of Si solar cells for UV Nd:YAG laser with diffuser

著者名：大歳 丈翔(大阪産業大学),田中 利玖(大阪産業大学),橋田 昌樹(東海大学/京都大学),坂上 仁志(核融合科学研究所/東海大学),時田 茂樹(京都大学),草場 光博(大阪産業大学)

著者名(英語)： Taketo Otoshi(Osaka Sangyo University),Riku Tanaka(Osaka Sangyo University),Masaki Hashida(Tokai University/Kyoto University),Hitoshi Sakagami(National Institute for Fusion Science/Tokai University),Shigeki Tokita(Kyoto University),Mitsuhiro Kusaba(Osaka Sangyo University)

キーワード：シリコン太陽電池,ナノドット構造,ディフューザ,紫外Ｎｄ：ＹＡＧレーザ,４倍高調波,光・レーザ量子加工,silicon solar cells,nanodot structures,diffuser,UV Nd:YAG lazer,fourth harmonic,light and laser quantum processing

要約(日本語)：波長266nmのNd:YAGレーザを用いて融解閾値（Fth＝0.51J/cm2）以下のレーザフルエンスでSi太陽電池表面を照射することで、表面に約20nm程度のナノドット構造が形成することを報告した。しかしスペックルが原因と見られる融解が発生した。そこでスペックル抑制のためにディフューザを導入し、ナノドット構造形成に必要な融解閾値測定を行った。融解閾値は0.45J/cm2であった。

要約(英語)：The melting threshold of silicon solar cells was measured with UV Nd:YAG laser pulses through a diffuser to suppress speckle originated from multi reflections. In the experiment, UV Nd:YAG laser which wavelength of 266nm, pulse width of 7ns, repetition rate of 10 Hz was used. Sample was silicon solar cells of which surface have texture structure of 1-10 m size. The thickness of sample was 512 m. To obtain the melting threshold, the melting diameter dependence on laser fluence was investigated. The melting threshold was found to be Fth= 0.45 J/cm2.

本誌：2025年12月19日光応用・視覚研究会

本誌掲載ページ：9-12p

原稿種別：日本語

PDFファイルサイズ：753Kバイト