2026年3月23日-2026年3月24日電子デバイス研究会

カテゴリ：研究会(冊子単位)

グループ名：【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス研究会

発行日：2026/3/20

タイトル(英語)：23.Mar.2026-24.Mar.2026 Technical Meeting on Electron Devices

キーワード：研究会(冊子単位)

要約(日本語)：Beyond 5G光無線融合ネットワーク実現に向けたUTC-PD集積HEMT光ダブルミキサの開発:佐藤 昭(東北大学) III-V-Si 異種材料間Cu-Cu接続による高精細及び可視-短赤外感度域を有するInGaAsイメージセンサ:酒井 歩峻(ソニーセミコンダクタソリューションズ),中村 圭吾(ソニーセミコンダクタソリューションズ),萬田 周治(ソニーセミコンダクタソリューションズ),松本 良輔(ソニーセミコンダクタソリューションズ),齋藤 卓(ソニーセミコンダクタソリューションズ),丸山 俊介(ソニーセミコンダクタソリューションズ),三成 英樹(ソニーセミコンダクタソリューションズ),平野 嵩明(ソニーセミコンダクタソリューションズ),藤井 宣年(ソニーセミコンダクタソリューションズ),山本 雄一(ソニーセミコンダクタソリューションズ),財前 義史(ソニーセミコンダクタソリューションズ),平野 智之(ソニーセミコンダクタソリューションズ) 逆積分変換法を用いた1/f雑音の電子トラップ時定数分布の抽出と評価:谷田部 然治(北海道大学),葛西 誠也(北海道大学) 高周波AlN系分極ドープ電界効果トランジスタ:川崎 晟也(NTT株式会社),廣木 正伸(NTT株式会社),平間 一行(NTT株式会社),谷保 芳孝(NTT株式会社) ミリ波帯応用向け高信頼GaAs、GaN デバイスの開発:松下 景一(ウィン・セミコンダクター),林 正國(ウィン・セミコンダクター) ５G基地局向け広帯域・高効率ドハティー増幅器を実現するGaN-on-Si 技術:川島 克彦(ヌヴォトンテクノロジージャパン),加藤 由明(ヌヴォトンテクノロジージャパン),松田 慎吾(ヌヴォトンテクノロジージャパン),杉山 寛(ヌヴォトンテクノロジージャパン) MOVPE法によりAlN基板上にコヒーレント成長したAlN/GaN/AlN HEMTの低抵抗化と高耐圧動作:李 太起(旭化成,名古屋大学),吉川 陽(旭化成,名古屋大学),森 臣能(名古屋大学),杉山 聖(旭化成,名古屋大学),新井 学(名古屋大学),安藤 裕二(名古屋大学),須田 淳(名古屋大学),天野 浩(名古屋大学) C面SiC基板上AlGaNバッファを有するN極性GaNチャネルHEMT構造のMOCVD成長:星 拓也(NTT),吉屋 佑樹(NTT),佐々木 太郎(NTT),杉山 弘樹(NTT),中島 史人(NTT) ミストCVD法によるエピタキシャル成長基板を用いた 2.4GHz帯β-Ga2O3 MESFET増幅器:池田 光(京都大学),若松 岳(京都大学),田中 勝久(京都大学),藤田 静雄(京都大学),安藤 裕二(名古屋大学),高橋 英匡(名古屋大学),牧迫 隆太郎(名古屋大学),須田 淳(名古屋大学),上田 哲三(パナソニックホールディングス),菅谷 英生(パナソニックホールディングス)

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