アルミ薄膜を用いた陽極接合による真空封止技術の開発

カテゴリ: 部門大会

論文No: 20pm3-PS015

グループ名: 第31回「センサ・マイクロマシンとその応用システム」シンポジウム論文集

発行日: 2014/10/14

タイトル(英語): Wafer level vacuum packaging by anodic bonding with aluminum thin film

著者名: 唐澤 賢志(セイコーインスツル),杉山 剛(セイコーインスツル),田家 良久(セイコーインスツル),浜田 秀史(セイコーインスツル),吉田 宜史(セイコーインスツル)

キーワード: ウェハレベルパッケージ,陽極接合,真空封止

要約(日本語): 微細な構造物を持つMEMSセンサは、その構造物保護を目的としてウェハ接合による一括封止が行われる。その封止構造内の圧力を下げることで慣性センサや赤外線センサでは特性の向上が見込まれる(1)(2)。今回、ウェハ接合による中空構造形成と真空封止検証の為、ガラスウェハ同士をアルミ薄膜で陽極接合し、真空封止をする技術を開発したので紹介する。

要約(英語): We have developed the wafer level vacuum packaging technology by the anodic bonding with aluminium thin film. In this paper, the gas analysis during the anodic bonding process was developed and hydrogen gas generation was found. With this method for the wafer level vacuum packaging, the pressure in the cavity was 0.4Pa with titanium-getter, and 90Pa without titanium-getter.

PDFファイルサイズ: 783 Kバイト