サファイアの反応性イオンエッチングにおけるマスク材が表面粗さに与える影響

カテゴリ: 部門大会

論文No: 20pm3-PS019

グループ名: 第31回「センサ・マイクロマシンとその応用システム」シンポジウム論文集

発行日: 2014/10/14

タイトル(英語): Effect of masking material to surface roughness at reactive ion etching process of sapphire substrate

著者名: 鈴木 順也(東京農工大学),岩見 健太郎(東京農工大学),梅田 倫弘(東京農工大学)

キーワード: サファイア,圧力センサ,反応性イオンエッチング,Crマスク,中間層

要約(日本語): スマートカット法によるサファイア圧力センサ実現のため，表面粗さの増大を抑制したRIEを確立する必要がある．本研究ではCrマスクを用いたRIEにおける表面粗さの増大を防ぐため，中間層を挟むことを検討した．Auを中間層とした場合，スパッタリング時に基板へのAu原子の衝突により接合が困難な粗さまで増大した．一方でSiを中間層とした場合，印加DC/RFの最適化を行うことで荒れを最小限に抑えることが可能であることが分かった．

要約(英語): Effects of masking material on sapphire surface roughness at reactive ion etching (RIE) process are studied. Although Cr-mask has high selectivity for sapphire RIE, surface roughness of sapphire was increased after mask removal. Insertion of Au or Si intermediate layer between sapphire substrate and Cr mask are studied.

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