UVナノインプリントと異方性ウェットエッチングの組み合わせによるナノスケール極微細構造の作製

カテゴリ: 部門大会

論文No: 20pm3-PS003

グループ名: 第31回「センサ・マイクロマシンとその応用システム」シンポジウム論文集

発行日: 2014/10/14

タイトル(英語): Fabrication of Fine Nanoscale Structures Using Combination of UV Nanoimprint Lithography and Anisotropic Wet Etching

著者名: 桑江 博之(早稲田大学),岡田 愛姫子(早稲田大学),笠原 崇史(早稲田大学),庄子 習一(早稲田大学),水野 潤(早稲田大学)

キーワード: UVナノインプリント,Si異方性ウェットエッチング,次世代パターニング手法,V字溝

要約(日本語): 本稿ではUVナノインプリントとシリコン異方性ウェットエッチングを組み合わせることで極微細な金属埋め込み構造を形成する新規作製プロセスを提案する。ウェットエッチングは室温下、かつ界面活性材を添加することで原子レベルに制御されたエッチングを行った。最終的にモールド形状の40%以下のサイズで構造を作成することに成功した。提案した作製プロセスは、sub-10nmスケールの構造を作成する次世代パターニング技術として期待される。

要約(英語): Fine nanoscale structure patterning was demonstrated by combining UV nanoimprint lithography and silicon anisotropic wet etching. Fabricated structures size was less than 40% of a mold size. Anisotropic wet etching was controlled in atomic scale precision through room temperature etching and adding small amount of a surfactant. The proposed method is a promising technique to realize future sub-10 nm patterning.

PDFファイルサイズ: 1,534 Kバイト