Ar高周波プラズマ活性化処理による金薄膜を介したウェハ常温接合

カテゴリ: 部門大会

論文No: 21am2-G4

グループ名: 第31回「センサ・マイクロマシンとその応用システム」シンポジウム論文集

発行日: 2014/10/14

タイトル(英語): Room-Temperature Wafer Bonding with Au Thin Film Using Ar RF Plasma Activation

著者名: 奥村 拳(東京大学),日暮 栄治(東京大学),須賀 唯知(東京大学),萩原 啓(NHK放送技術研究所)

キーワード: 常温接合,Au-Au接合,半導体レーザ,放熱構造

要約(日本語): 本研究では、厚み30nmの金薄膜を介した、大気雰囲気下、常温、低荷重でのウェハレベル接合を提案した。その結果、成膜から長時間大気暴露し、表面エネルギーの低下したAu膜のウェハでも、数十秒の表面活性化処理を行うことで、母材破壊する程度の十分な強度の接合が行えることを示した。本手法をGaAs/SiCウェハ接合に適用した結果、同様に常温、低荷重、大気雰囲気での強固な接合が確認された。

要約(英語): Quartz glass wafers with smooth Au thin film (thickness: 30 nm, surface roughness RMS: 0.43 nm) were successfully bonded in ambient air at room temperature after Ar RF plasma activation process, even when it was exposed to air for a long term (800 - 2000 h) after Au deposition. Based on the experimental results, wafer-scale GaAs/Au/SiC hetero structure has been demonstrated.

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