シリコンレゾナント式圧力センサの高耐圧化のための張力制御

カテゴリ: 部門大会

論文No: 21pm3-PS036

グループ名: 第31回「センサ・マイクロマシンとその応用システム」シンポジウム論文集

発行日: 2014/10/14

タイトル(英語): Strain control method of silicon resonant pressure sensor for high pressure application

著者名: 野田 隆一郎(横河電機),吉田 勇作(横河電機),高山 忠彦(横河電機),吉田 隆司(横河電機)

キーワード: MEMS,シリコン振動子,振動式圧力センサ,歪み,ボロン

要約(日本語): 我々は本研究において200MPaで座屈しない振動子の作製を目的として、700ppm以上の歪みを持ったシリコン振動子製造方法の開発を行った。この方法で試作した振動子は700ppmを超える歪を持っていることが確認された。この振動子を用いることで、200MPaを測定可能な圧力センサを開発する見通しを得ることができた。

要約(英語): The silicon resonant sensors have a limitation in high pressure use, such as 200MPa, because of its buckling property.　We developed the sensor for high pressure. The fabricated resonators can be greatly used in high pressure measurement, such as 200MPa, with the benefit of low cost, small size and low power consumption.

PDFファイルサイズ: 1,307 Kバイト