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低電圧駆動の移動電極をもつ12 MHzシリコンMEMS共振器の振動評価

低電圧駆動の移動電極をもつ12 MHzシリコンMEMS共振器の振動評価

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カテゴリ: 部門大会

論文No: 21pm3-PS038

グループ名: 第31回「センサ・マイクロマシンとその応用システム」シンポジウム論文集

発行日: 2014/10/14

タイトル(英語): Evaluation on 12 MHz Silicon MEMS Resonators with Low-voltage-driven Shifting Electrodes

著者名: 大隅 梨貴(立命館大学),辻下 勝洋(立命館大学),谷川 紘(立命館大学),鈴木 健一郎(立命館大学)

キーワード: MEMS共振器,狭ギャップ,プルイン,ラメモード,移動電極

要約(日本語): 駆動電圧を低減させるために、ばね定数の小さい移動電極を有するシリコンMEMS共振器を開発した。作製した共振器は、12 MHz付近にラメ振動モードをもっており、二組の移動電極により振動させるものである。今回試作した共振器の移動電極の駆動電圧を測定したところ、プルイン電圧の平均27 V、リリース電圧の平均16.5 Vであった。最も低かったものは、14 Vであった(先行研究のプルイン電圧の77%減)。

要約(英語): We have developed a 12 MHz MEMS resonator before. It was shown that it had a very high electromechanical transduction coefficient owing to the narrow gap that was achieved by sifting driving electrodes.In this investigation, we have newly designed a 12 MHz silicon resonator that can be driven by much lower DC bias voltage.

PDFファイルサイズ: 1,534 Kバイト

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