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半導体ナノワイヤ物性評価のためのMEMS-Based Strain Engineering

半導体ナノワイヤ物性評価のためのMEMS-Based Strain Engineering

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カテゴリ: 部門大会

論文No: 21pm3-PS004

グループ名: 第31回「センサ・マイクロマシンとその応用システム」シンポジウム論文集

発行日: 2014/10/14

タイトル(英語): MEMS-based Strain Engineering Technology for Physical Property Evaluation of Semiconductor Nanowires

著者名: 北田 勇馬(神戸大学),川瀬 真也(神戸大学),菅野 公二(神戸大学),Wagesreither Stefan(ウィーン工科大学),Lugstein Alois(ウィーン工科大学),磯野 吉正(神戸大学)

キーワード: VLS-CVD,単結晶Siナノワイヤ,応力-ひずみ関係,ピエゾ抵抗効果

要約(日本語): 本研究では、MEMSデバイスを用いて、低次元ナノ構造材料に対する“Elastic Strain Engineering”研究で必要となる基盤技術の確立を図った。具体的な研究実施項目は、ナノ材料引っ張り試験MEMSデバイスの開発、VLSによりボトムアップ成長させたSiナノワイヤ(SiNWs)のSEM内ナノマニピュレーション技術の確立、および同ワイヤのナノ材料物性評価専用MEMSデバイス上への設置による機械電気連成特性評価を試みた。

要約(英語): The objective of this research is to evaluate the mechanical-electrical coupled properties, which is well known as piezoresistive effect, of single crystal silicon nanowires (SiNWs) synthesized by the vapor-solid-liquid method of chemical vapor deposition for their sensor application. In this research, we have developed electrostatically actuated nanotensile testing device, in order to apply the uniaxial tensile strain to the SiNWs.

PDFファイルサイズ: 1,331 Kバイト

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