スタンダードPZT-MEMSプロセスの提案とデバイス評価
スタンダードPZT-MEMSプロセスの提案とデバイス評価
カテゴリ: 部門大会
論文No: 21pm3-PS052
グループ名: 第31回「センサ・マイクロマシンとその応用システム」シンポジウム論文集
発行日: 2014/10/14
タイトル(英語): Proposal of PZT-MEMS process and device evaluation
著者名: 佐野 良(兵庫県立大学),井上純一(兵庫県立大学),神田 健介(兵庫県立大学),藤田 孝之(兵庫県立大学),前中 一介(兵庫県立大学)
キーワード: PZT薄膜,マルチチップサービス,MEMS
要約(日本語): 圧電型MEMSに関して、集積回路におけるシャトルサービスのようなサービスは発展途上であり、限られた研究グループのみで研究が進められているのが現状である。そこで我々は、優れた圧電特性を示すPb[Zr,Ti]O3(PZT)薄膜とMEMSプロセスを融合させた汎用性の高いプロセスを提案し、デザインルールを定め、4インチSOIウェハ上に設計を行った。作製したデバイスを評価することで、デバイス設計上有益な基本特性が明らかになった。
要約(英語): This study investigates the possibility of multi-chip service for PZT(Pb[Zr,Ti]O3)-MEMS. Standard PZT-MEMS process, which can apply to fabricate various kinds of PZT-MEMS devices, is proposed and the devices are fabricated in 4 inches wafers under the process and decided design rule. The results of device evaluations were shown in this paper.
PDFファイルサイズ: 2,268 Kバイト
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