チタニウムウェハの貫通加工のための熱反応性イオンエッチング法の開発

カテゴリ: 部門大会

論文No: 22am2-A1

グループ名: 第31回「センサ・マイクロマシンとその応用システム」シンポジウム論文集

発行日: 2014/10/14

タイトル(英語): Thermal reactive ion etching for etching through titanium wafer

著者名: 山田 周史(新潟大学),南 佑人(新潟大学),寒川 雅之(新潟大学),安部 隆(新潟大学)

キーワード: チタニウム,反応性イオンエッチング,フッ素系ガス,深掘り反応性イオンエッチング,難加工材

要約(日本語): 本研究では，カソードに印加する高周波をウェハの加熱に利用した熱反応性イオンエッチング法の開発および，それを用いたチタニウムウェハの高速加工について報告する．下部電極（カソード）と試験片の間に伝熱抑制部材をはさむことでウェハの温度を選択的に上昇させ，加工速度を最大で約1 μm/minまで上げることに成功した．本法により，難加工材の深掘り加工が可能となり，非シリコン材のMEMSへのさらなる応用が期待できる．

要約(英語): We report a development of new RIE process, referred thermal reactive ion etching (TRIE), and high speed machining of titanium using SF6 plasma. TRIE is the RIE process utilizes RF voltage applied to the cathode for wafer heating and enables high-speed machining of hard-to-etch materials. In TRIE, a heat transfer suppression component is located between the cathode and wafer and the wafer is heated selectively. The maximum etch rate of about 1 μm/min is obtained.

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