Si(100)基板上への結晶配向γ-Al2O3薄膜とCMOS回路のインテグレーション及びその評価

カテゴリ: 部門大会

論文No: 22am2-A3

グループ名: 第31回「センサ・マイクロマシンとその応用システム」シンポジウム論文集

発行日: 2014/10/14

タイトル(英語): Integration of crystalline orientated gamma-Al2O3 films and CMOS circuits on Si(100) substrate

著者名: 大石 浩史(豊橋技術科学大学),赤井 大輔(エレクトロニクス先端融合研究所(EIIRIS)),石田 誠(豊橋技術科学大学)

キーワード: γ-Al2O3,結晶性,アニール,CMOSインテグレーション

要約(日本語): 結晶配向γ-Al2O3薄膜とCMOS回路のSi(100)基板上へのインテグレーションについて報告する。CMOSプロセスではγ-Al2O3の結晶成長温度より高い温度のアニールがあり、CMOSプロセス中でもγ-Al2O3の結晶性を維持することが必要である。O2雰囲気とH2O雰囲気の二つのアニールについてγ-Al2O3薄膜への影響を調査し、プロセスの適合性を評価した。

要約(英語): In this paper, integration of crystalline γ-Al2O3 films and CMOS circuits on Si(100) substrate have been reported. Two anneals on γ-Al2O3 films have been investigated. Physical models of γ-Al2O3 annealing were explained according to crystallinity evaluation and element analysis.

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