超並列電子線描画装置用アクティブマトリクスナノ結晶シリコン電子源の開発と動作特性評価

カテゴリ: 部門大会

論文No: 22am2-A4

グループ名: 第31回「センサ・マイクロマシンとその応用システム」シンポジウム論文集

発行日: 2014/10/14

タイトル(英語): Development and performance evaluation of active-matrix nanocrystalline Si electron emitter array for massively parallel electron beam direct-write lithography

著者名: 池上 尚克(東北大学),小島 明(東北大学),宮口 裕(東北大学),吉田 孝(東北大学),西野 仁(東北大学),吉田 慎哉(東北大学),室山 真徳(東北大学),菅田 正徳(クレステック),越田 信義(東京農工大学),戸津 健太郎(東北大学),江刺 正喜(東北大学)

キーワード: ナノ結晶シリコン,電子エミッタアレイ,アクティブマトリックス駆動LSI,超並列電子線描画,ピアース型電子源

要約(日本語): 超並列電子線描画装置の開発に向け、アクティブマトリックスLSI駆動回路との集積化に適合した平面型とピアース型のエミッタアレイをSi基板上に作製するプロセスの設計・試作を行い、ショートループ実験で1：1等倍露光を確認した。又縮小一括露光実現に向け、アクティブマトリックス動作検証のためのシステム化を検討した。今後、実際にLSI駆動回路と集積化したエミッタアレイを作製し基本動作を確認していく。

要約(英語): This paper presents nanocrystalline silicon electron emitter array compatible with an active-matrix driving-LSI for massively parallel e-beam direct-write lithography. A 1:1 projection experiment demonstrated that square patterns of the emitter array were reproduced on an e-beam resist without any distortions or fluctuations, showing that energy dispersion of the emitted electrons is quite small.

PDFファイルサイズ: 1,797 Kバイト