超並列電子線描画装置用LSIの設計と評価

カテゴリ: 部門大会

論文No: 22pm1-A2

グループ名: 第31回「センサ・マイクロマシンとその応用システム」シンポジウム論文集

発行日: 2014/10/14

タイトル(英語): An LSI for Massive Parallel Electron Beam Lithography: its Design and Evaluation

著者名: 宮口 裕(東北大学),室山 真徳(東北大学),吉田 慎哉(東北大学),池上尚克(東北大学),小島 明(東北大学),吉田 孝(東北大学),田中 秀治(東北大学),江刺 正喜(東北大学)

キーワード: 電子線描画,集積回路,縮小露光,収差補正,素子分離

要約(日本語): LSI製造においてマスクが不要な電子線描画装置を高速化する、超並列nc-Si電子源アレイ[100x100]を使用してアクティブマトリクス駆動するLSIを開発した。アレイ電子源からの電子線を一括縮小する際に生じる収差や電子源のバラツキを補正する仕組みを提案し、LSIに組込んだ。更にこのLSIを電子源と接合して描画装置を組み立てる際、各工程でLSIの検査を実施可能な仕組みも備えた。また、開発したLSIの基本動作を確認できた。

要約(英語): An LSI for the Massive Parallel Electron Beam Lithography using nc-Si (Nano Cristal Silicon) has been developed. It drives a 100x100 electron emitter as an active matrix electron emitter with an innovative aberration correction scheme, a compensation scheme for electron beam intensity variation and a test circuit for testing LSI during integration on the system. This LSI was evaluated and confirmed its basic function.

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