MEMS封止のためのガス雰囲気中での表面活性化ウェハ常温接合

カテゴリ: 部門大会

論文No: 24am2-A-5

グループ名: 第33回「センサ・マイクロマシンとその応用システム」シンポジウム論文集

発行日: 2016/10/17

タイトル(英語): Surface activated room-temperature wafer bonding in gas ambient for MEMS hermetic package

著者名: 高木 秀樹(産業技術総合研究所),倉島 優一(産業技術総合研究所),柳町 真也(産業技術総合研究所),高見澤 昭文(産業技術総合研究所),池上 健(産業技術総合研究所)

キーワード: MEMS封止,不活性ガス,表面活性化常温接合,シリコン,サファイア

要約(日本語): 様々な圧力下でのMEMSの封止を目指して，Siウェハおよびサファイアウェハの高純度Arガス雰囲気での表面活性化常温接合について検討した。Si，サファイアともにほぼ大気圧の90kPaのガス雰囲気中でも常温接合が可能であった。接合体の強度は，ブレード法とダイシングテストにより，また接合界面の微細構造はTEM観察により評価した。

要約(英語): Surface activated room-temperature bonding of Si and sapphire wafers in high purity inert gas was examined to package MEMS in various pressures. Si and sapphire wafers were successfully bonded in Ar gas ambient up to 90 kPa. The bonding strength was evaluated by the blade insertion method and dicing test. TEM observations revealed that Ar gas atoms does not affect the interatomic bond formation at the bonding interface.

PDFファイルサイズ: 991 Kバイト