VLSボトムアップ成長Core/Shell-SiCナノワイヤの MEMS援用ピエゾ抵抗特性評価

カテゴリ: 部門大会

論文No: 24am2-B-2

グループ名: 第33回「センサ・マイクロマシンとその応用システム」シンポジウム論文集

発行日: 2016/10/17

タイトル(英語): Evaluation of Piezoresistivity of Bottom-up VLS Grown Core/Shell-SiC Nanowire Using Electrostatically Actuated Nanotensile Testing Device.

著者名: 仲田 進哉(神戸大学),井本 大暉(神戸大学),Feancesca Rossi(The IMEM-CNR Institute),Alois Lugstein(ウィーン工科大学),菅野 公二(神戸大学),磯野 吉正(神戸大学)

キーワード: Vapor-liquid-solid法,SiCナノワイヤ,ピエゾ抵抗効果

要約(日本語): 高温で動作可能な信頼性の高いMEMS機械量センサが求められている。SiCはSiの3倍のバンドギャップにより高温下でリーク電流が小さいという特徴から高温下で動作する機械量センサ素子としての利用が期待されている。本研究では、独自開発したMEMSナノ材料引張試験デバイスを用いて、Vapor-liquid-solid法によりボトムアップ成長させたSiCナノワイヤの機械特性およびピエゾ抵抗効果を実験的に解明した。

要約(英語): The silicon carbide (SiC) is one of promising materials used for mechanical sensors operated at high temperature because of its wide bandgap. This research clarified mechanical properties and piezoresistive effect of individual VLS-grown SiC nanowire using newly developed Electrostatically Actuated NAnotensile Testing devices (EANATs).

PDFファイルサイズ: 838 Kバイト