200MPaの圧力を測定可能なシリコンレゾナント圧力センサの開発

カテゴリ: 部門大会

論文No: 24am2-D-3

グループ名: 第33回「センサ・マイクロマシンとその応用システム」シンポジウム論文集

発行日: 2016/10/17

タイトル(英語): Development of silicon resonant pressure sensor that can operate under 200MPa

著者名: 野田 隆一郎(横河電機),湯本 淳志(横河電機),羽鳥 大輔(横河電機),平山 徹(横河電機),吉田 勇作(横河電機),高山 忠彦(横河電機),吉田 隆司(横河電機)

キーワード: MEMS,シリコン振動子,振動式圧力センサ,高耐圧,歪み

要約(日本語): 昨今，単結晶シリコン振動式センサを搭載した圧力伝送器に対し，海底油田の採掘や，物理探査の分野で200MPaを超える圧力下での圧力計測の要求が高まってきている。これまでシリコン振動式センサは，70MPaを超える圧力で梁状の振動子が座屈するため，200MPaの圧力測定には利用できなかった。この課題に対して我々は834ppmの高い歪みを持った振動子が組み込まれた圧力センサを開発し，200MPaまでの圧力下での動作を実現した。

要約(英語): High initial strain of silicon resonator is required to avoid buckling in high pressure condition such as 200MPa. In this research, the resonators with high strain were assembled into pressure sensors and the sensor operated at more than 200MPa.

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